一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法

专利申请号：CN202311770981.3

公 开 号：CN117867631A

发 明 人：吴延斌 杨欣 冯良波 

代 理 人：张炎斌

代理机构：天津铂茂专利代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20240412

公 开 日：20231221

专利主分类号：C25F5/00

关 键 词：电池片 铜种子层 电镀 铜离子 槽液 去胶 去除 蚀刻 不锈钢板 太阳能电池片 阴极 光伏电池片 铜离子回收 阳极 电荷移动 电解处理 氧化反应 低损伤 电镀铜 金属铜 放入 正向 电解 通电 

摘      要：本发明公开了一种低损伤蚀刻光伏电池片铜种子层的方法，涉及太阳能电池片电镀蚀刻技术领域，具体包括以下步骤：S01：去胶处理：对电镀后的电池片进行去胶处理；S02：反电解处理：对上述去胶后的电池片放入电镀铜的槽液中，通入适当电流，通电后电池片作为阳极，通过电荷移动，将电池片上的铜，转变成铜离子，氧化去除电池片上PVD铜种子层；S03：铜离子回收：在槽液中铜离子浓度达到一定量，开启正向电镀，用不锈钢板作为阴极，将槽液中铜离子电镀到不锈钢板上。本发明采用反电解的方法去除PVD铜种子层，是利用金属铜在得到电子的时候，发生氧化反应，0价的铜变成﹢2价铜，从而达到去除PVD铜种子层的目的。