10T1C-SRAM存算单元、存算阵列、及存算电路

专利申请号：CN202410652070.9

公 开 号：CN118280410A

发 明 人：刘立 关立军 强斌 彭春雨 吴秀龙 蔺智挺 陈军宁 

代 理 人：江楠竹

代理机构：合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20240702

公 开 日：20240524

专利主分类号：G11C11/419

关 键 词：电路 集成电路设计 充电路径 工艺影响 计算模式 输出结果 运算结果 电容 放电 配对 充电 输出 保证 

摘      要：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及10T1C‑SRAM存算单元、存算阵列、及存算电路。本发明公开了一种10T1C‑SRAM存算单元，包括6T‑SRAM部、XOR运算部。6T‑SRAM部为经典的6T‑SRAM。XOR运算部包括2个PMOS管P3~P4、2个NMOS管N5~N6、1个电容C0。在存内计算模式下，Q、A在XOR运算部进行XOR运算，运算结果通过C0充电到LCBL上。本发明提供的10T1C‑SRAM存算单元可以克服工艺失配对充电路径的影响，保证计算输出结果的准确性。本发明解决了现有XOR运算电路易受到工艺影响产生的放电波动而导致输出不能准确识别的问题。