面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法

专利申请号：CN201210385043.7

公 开 号：CN102930143A

发 明 人：宋亦旭 郑树琳 孙晓民 杨宏军 

代 理 人：廖元秋

代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明申请

申 请 日：20130213

公 开 日：20121011

专利主分类号：G06F19/00(20060101)

关 键 词：向量 入射点 粒子 方程组 入射角度 刻蚀 拟合 多项式曲面拟合 曲线拟合方法 计算复杂度 计算准确度 微电子加工 坐标轴方向 方向选择 刻蚀工艺 刻蚀过程 模拟领域 曲线拟合 三维曲面 数据采样 位置坐标 问题转化 运算速度 三维元 元胞 病态 周围 

摘      要：本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法首先根据刻蚀粒子的入射方向选择两个与入射面垂直的切平面；然后分别在两个切平面上选取入射点周围的表面元胞，将其位置坐标作为数据采样点采用二维曲线拟合方法进行拟合计算，进而求得入射点在两个坐标轴方向上的切向量；最后对这两个切向量采用向量叉积求得入射点的表面法向量，从而获得刻蚀粒子的入射角度。本发明将一个三维曲面拟合问题转化为两个二维曲线拟合进行求解，减少了对多元方程组的求解，降低了计算复杂度，同时避免了对多项式曲面拟合中病态方程组的处理；计算准确度和运算速度都有较大的提高。