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多层阶梯式基片集成波导实现微带至波导的垂直过渡结构

多层阶梯式基片集成波导实现微带至波导的垂直过渡结构

专利申请号:CN201310312907.7

公 开 号:CN103515682B

发 明 人:戴新峰 周明 

代 理 人:王华

代理机构:32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)

专利类型:授权发明

申 请 日:20150729

公 开 日:20130724

专利主分类号:H01P5/00(20060101)

关 键 词:基片集成 波导 波导口径 波导结构 垂直过渡 宽带性能 互连 优化设计计算 阶梯结构 平面电路 平面方向 平面集成 耦合 单层微 系统级 刻蚀 下层 匹配 口径 

摘      要:本发明公开了一种多层阶梯式基片集成波导实现微带至波导的垂直过渡结构,在微带与波导口径之间该结构利用一段多层阶梯基片集成波导实现微带与波导口径的垂直过渡。在各层阶梯基片集成波导之间,及最下层基片集成波导与波导口径之间刻蚀耦合口径,多层基片集成波导在两个平面方向采用阶梯结构以与单层微带实现匹配互连,并实现宽带性能。本发明通过采用新颖的多层阶梯基片集成波导结构,省去了短路面,利于平面集成,特别是平面电路与波导结构的系统级互连;并通过优化设计计算,实现了宽带性能。

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