一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法

专利申请号：CN201510594635.3

公 开 号：CN105133014A

发 明 人：姚忻 相辉 潘彬 崔祥祥 钱俊 

代 理 人：程玲

代理机构：31219 上海光华专利事务所

专利类型：发明专利

申 请 日：20151209

公 开 日：20150917

专利主分类号：C30B29/22(20060101)

关 键 词：前驱体 制备 高温超导 单晶体 摩尔比 熔融织构法 工艺成本 生长过程 压制而成 元素配比 生长 生长炉 时间和 准单晶 配比 一种 籽晶 均匀 诱导 节约 保持 保证 

摘      要：本发明提供一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a)按照摩尔比Ba：Cu＝2：3制备Ba2Cu3O5粉末；b)按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导准单晶体；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按RE2O3+2Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比Ba：Cu＝2：3制备的Ba2Cu3O5粉末，而避免制备RE123粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE:Ba：Cu＝1：2：3的比例，从而获得REBCO高温超导准单晶。