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一种物理气相沉积涂层的工艺方法
专利申请号：CN201110157952.0
公 开 号：CN102230154A
发 明 人：吴舢红
代 理 人：郭桂峰
代理机构：上海硕力知识产权代理事务所
专利类型：发明申请
申 请 日：20111102
公 开 日：20110614
专利主分类号：C23C14/22(20060101)
关 键 词：氮气 物理气相沉积 等离子气体 氮化处理 反应时间 基体材料 涂层材料 偏转 金属加工技术 部件表面 沉积薄膜 刀具模具 惰性气体 涂层处理 涂层工艺 反应室 能耗 降温
摘 要：本发明公开了一种物理气相沉积涂层的工艺方法，涉及金属加工技术领域。针对现有的物理气相沉积涂层工艺能耗大且处理时间长的问题。本发明的工艺方法如下：a、氮化处理：将基体材料置于反应室内的偏转源上，向真空的反应室内通入氮气和惰性气体，反应时间50～100分钟；b、沉积薄膜：关闭氮气，使反应室降温并向反应室内通入涂层材料等离子气体，并使涂层材料等离子气体轰击经步骤a氮化处理后的基体材料，反应时间50～100分钟。本发明适用于绝大多数刀具模具和部件表面的涂层处理。
