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管理半导体存储器的方法、相应的接口、存储器和设备
专利申请号：CN201710828775.1
公 开 号：CN108461105A
发 明 人：D·曼加诺 M·卡拉诺 G·迪斯特法诺 R·鲁吉雷洛
代 理 人：王茂华
代理机构：11256 北京市金杜律师事务所
专利类型：发明申请
申 请 日：20180828
公 开 日：20170914
专利主分类号：G11C16/08(20060101)
关 键 词：闪存位置 用户地址 写入数据 非易失性数据存储 非易失性闪存 数据存储 写入
摘 要：通过用于写入数据的非易失性闪存位置范围来提供用于用户地址范围的非易失性数据存储空间。用于写入数据的闪存位置范围大于用户地址范围(例如，4KB相对100B)。因此，针对相同用户地址的数据可以被写入闪存位置范围中的不同闪存位置，从而相应地提高了数据存储耐久性。
