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一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法
专利申请号：CN200910050313.7
公 开 号：CN101551294B
发 明 人：陆卫 殷豪 李天信 胡伟达 王文娟 甄红楼 李宁 陈平平 李志锋 陈效双 李永富 龚海梅
代 理 人：郭英
代理机构：31213 上海新天专利代理有限公司
专利类型：授权发明
申 请 日：20101117
公 开 日：20090430
专利主分类号：G01M11/00(20060101)
关 键 词：表面漏电 光照 漏电 测量区域 测量数据 电容微分 光探测器 光照强度 漏电通道 器件表面 器件性能 数值模拟 优化器件 半导体 针对性 检测
摘 要：本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
