使反应器中压强脉冲与射频调节协调的系统、方法及设备

专利申请号：CN201410444122.X

公 开 号：CN104425324A

发 明 人：拉金德尔·迪恩赛 哈梅特·辛格 

代 理 人：李献忠

代理机构：31263 上海胜康律师事务所

专利类型：发明申请

申 请 日：20150318

公 开 日：20140903

专利主分类号：H01L21/67(20060101)

关 键 词：等离子体处理 流率 控制结构 电极 处理室 出口 射频 传导 衬底支撑表面 等离子体约束 工艺气体 压强脉冲 反应器 控制器 协调 

摘      要：本发明提供了使反应器中压强脉冲与射频调节协调的系统、方法及设备。具体而言，一种等离子体处理系统和方法包括处理室及包括在其中的等离子体处理体积。所述等离子体处理体积比所述处理室的体积小。所述等离子体处理体积由顶电极、与所述顶电极的表面相对的衬底支撑表面以及包括至少一个出口的等离子体约束结构限定。传导控制结构能活动地设置成靠近所述至少一个出口并且能控制流过所述至少一个出口的流出流在第一流率与第二流率之间，其中所述传导控制结构控制所述出口流率，并且至少一个射频源和至少一个工艺气体流率在等离子体处理期间与所述控制器所设置的选定的处理状态对应地进行调节。