相变材料层、相变存储器单元及其制备方法

专利申请号：CN201510737451.8

公 开 号：CN106654005A

发 明 人：宋志棠 丁科元 饶峰 

代 理 人：余明伟

代理机构：31219 上海光华专利事务所

专利类型：发明专利

申 请 日：20170510

公 开 日：20151030

专利主分类号：H01L45/00(20060101)

关 键 词：相变材料层 相变存储器单元 相变存储器 器件单元 选区 超晶格结构 热稳定性 循环操作 制备工艺 衬底层 写操作 粘附性 制备 兼容 

摘      要：本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括TixTe1-x层及位于所述TixTe1-x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间TixTe1-x层，在高温下仍能保持结构的稳定性，提高超晶格结构整体的热稳定性；TixTe1-x层与衬底层有更好的粘附性，可以提高器件单元的循环操作次数，延长器件单元的寿命。