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单行载流子光探测器结构及其制作方法
专利申请号：CN201611059090.7
公 开 号：CN106784132B
代 理 人：余明伟
代理机构：31219 上海光华专利事务所(普通合伙)
专利类型：授权发明
申 请 日：20180925
公 开 日：20161125
专利主分类号：H01L31/18(20060101)
关 键 词：吸收层 带宽 光探测器 收集层 载流子 高速光通信 入射光功率 太赫兹信号 厚度条件 器件电容 高功率 光接收 面积比 响应度 中性能 总带宽 减小 腐蚀 响应 制作 应用
摘 要：本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法，利用分步腐蚀的方法，制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构，使得器件电容大大减小，在相同吸收层厚度条件下，提高了器件的RC响应带宽，进而提高了器件的总带宽；在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同)，器件具有更大的吸收层面积，因而具有更大的响应度，可以在更高入射光功率下工作，在高速高功率应用中性能提升更为明显，适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。
