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一种具有低延时功耗积的抗单粒子翻转的锁存器
专利申请号：CN201510940345.X
公 开 号：CN105577146A
代 理 人：徐文权
代理机构：61200 西安通大专利代理有限责任公司
专利类型：发明申请
申 请 日：20160511
公 开 日：20151215
专利主分类号：H03K3/3565(20060101)
关 键 词：锁存器 翻转状态 功耗 交叉耦合结构 抗单粒子翻转 数据传输模式 负反馈通路 传播延时 仿真结果 临界电荷 提高电路 写入速度 低延时 负反馈 同类型 无负载 延时 一种 隔离 低于 设计 公开 恢复 表明 加快
摘 要：本发明公开了一种具有低延时功耗积的抗单粒子翻转的锁存器，采用新型的具有隔离翻转状态的交叉耦合结构，通过设计合理的负反馈通路来加快翻转状态的恢复。在数据传输模式(transparent？mode)时，切断负反馈以提高电路的写入速度。在40nm？CMOS工艺下仿真结果表明，本发明的临界电荷比传统的锁存器高50倍以上。延时功耗积只有0.0035fs*J，无负载时传播延时只有23.3ps，低于同类型的锁存器。
