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一种复杂结构半导体器件模拟方法

一种复杂结构半导体器件模拟方法

专利申请号:CN201610802808.0

公 开 号:CN106383933B

发 明 人:张玮 李欣益 陆宏波 杨丞 张华辉 张梦炎 陈杰 郑奕 张建琴 

代 理 人:周乃鑫;周荣芳

代理机构:31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙)

专利类型:授权发明

申 请 日:20180626

公 开 日:20160905

专利主分类号:G06F17/50(20060101)

关 键 词:基本功能 线性方程组 器件结构 物理模型 半导体器件模拟 函数指针数组 代码生成器 单元分解 复杂结构 结构文件 可维护性 模拟程序 求解程序 属性特征 语法规则 运算性能 编辑器 运算量 结点 编译 关联 

摘      要:一种复杂结构半导体器件模拟方法,将基本物理模型按照所采用的数值离散方法全部写成基本子程序,将器件结构按照基本功能单元分解组合成具有固定语法规则的结构文件,编辑器获取每个特殊基本功能单元中每个基本物理模型的属性特征,代码生成器选择判断生成专属某特殊基本功能单元的线性方程组生成子程序,采用函数指针数组关联基本功能单元和基本功能单元的线性方程组生成子程序,根据获得的线性方程组生成子程序,编译整个器件结构的模拟求解程序。本发明节省了大量在生成结点值增量线性方程组时所需要的额外判断运算量,提高了模拟程序运算性能,大大增加了程序的可维护性。

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