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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201310178864.8
公 开 号:CN103312309B
代 理 人:王洁
代理机构:31002 上海智信专利代理有限公司
专利类型:授权发明
申 请 日:20160113
公 开 日:20130514
专利主分类号:H03K17/687(20060101)
关 键 词:传输门 模拟开关控制电路 控制电路模块 反相器电路 衬底栅极 电源断电 控制电路 输入信号 栅极电位 负电压产生电路 工作性能稳定 负电平信号 寄生二极管 传输 衬底电位 电路结构 控制传输 负电平 输出端 正电平 导通 一种 开启 关闭 可靠 实用 控制 涉及
摘 要:本发明涉及一种模拟开关控制电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括传输门PMOS场效应管(P1)、传输门NMOS场效应管(N1)、负电压产生电路模块、第一反相器电路模块、第二反相器电路模块、PMOS衬底栅极控制电路模块和NMOS衬底栅极控制电路模块。采用该种模拟开关控制电路结构,可以传输负电平信号,能够控制传输门中PMOS管和NMOS管的栅极电位,电源断电时PMOS管和NMOS管关闭,对于输入信号为正电平或负电平的情况,输入信号都不能传输到输出端,通过传输门衬底电位控制电路,控制PMOS管和NMOS管的寄生二极管不会导通;通过栅极电位控制电路,使得电源断电时,PMOS管和NMOS管不会开启,结构简单实用,工作性能稳定可靠,适用范围较为广泛。