基于庞磁电阻效应的磁感应强度测量装置及其测量方法

专利申请号：CN201010591198.7

公 开 号：CN102103193A

发 明 人：王昕 王静怡 李宇胜 

代 理 人：陈如涛

代理机构：35201 福州展晖专利事务所

专利类型：发明申请

申 请 日：20110622

公 开 日：20101216

专利主分类号：G01R33/09(20060101)

关 键 词：亥姆霍兹线圈 测量装置 电阻 磁场 电磁屏蔽装置 磁感应强度 电源装置 电阻效应 测量准确度 计算准确度 测量方法 测量环境 磁场强度 电桥平衡 反向磁场 环境磁场 基础参数 有效屏蔽 无干扰 电桥 平衡 

摘      要：本发明涉及一种磁感应强度测量装置和方法，特别是一种基于庞磁电阻效应的磁感应强度测量装置及其测量方法，测量装置包括有电磁屏蔽装置、第一回路和第二回路，第一回路中包括有庞磁电阻器件、亥姆霍兹线圈以及第一电源装置，第二回路中包括有惠更斯电桥和第二电源装置。本发明利用庞磁电阻效应的显著作用，采用了亥姆霍兹线圈提供反向磁场，用于平衡待测磁场，当惠更斯电桥平衡时，待测磁场在数值上与亥姆霍兹线圈磁场相等，而方向相反，不需要计算庞磁电阻器件的电阻，提高了计算准确度和精度；采用电磁屏蔽装置，以此有效屏蔽环境磁场，提供零磁场强度的测量环境，为后续测量提供无干扰的基础参数，有利于提高测量准确度。