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制造半导体装置的方法
专利申请号：CN201380024110.5
公 开 号：CN104541361A
代 理 人：王丹丹;刘金辉
代理机构：11247 北京市中咨律师事务所
专利类型：发明申请
申 请 日：20150422
公 开 日：20130429
专利主分类号：H01L21/304(20060101)
关 键 词：化学机械抛光 组合物 半导体装置 水性介质 无机颗粒 有机颗粒 混合物 聚合物 复合物 基板 杂环
摘 要：本发明提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括在化学机械抛光组合物(Q1)存在下化学机械抛光含有至少一种III-V族材料的基板或层，该化学机械抛光组合物(Q1)包含以下：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)含至少一种N-杂环的聚合物，和(M)水性介质，其中Q1具有1.5至4.5的pH。
