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动态随机存储器及其存取方法
专利申请号：CN200610061095.3
公 开 号：CN100530424C
发 明 人：颜硕廷
专利类型：授权发明
申 请 日：20090819
公 开 日：20060609
专利主分类号：G11C11/401(20060101)
关 键 词：漏极 薄膜晶体管 源极 比较器 电流 动态随机存储器 参考电流 第一栅极 连接 电压
摘 要：本发明涉及一种动态随机存储器，其包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管和一比较器。该第一薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极和一第一漏极。该第二薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极和一第二漏极。该第二源极与该第一源极相连接。该第一漏极是待存电压的写入端。该比较器与该第二漏极相连接，其内设定有一参考电流，用来与流过该第二漏极的电流相比较，以定义从该比较器读取的电流的状态。
