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测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构

测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构

专利申请号:CN200410067452.8

公 开 号:CN100383945C

发 明 人:陈祯祥 吴启熙 

代 理 人:李勇

代理机构:11256 北京市金杜律师事务所

专利类型:发明专利

申 请 日:20080423

公 开 日:20041025

专利主分类号:H01L21/66(20060101)

关 键 词:通孔 测试结构 金属层 焊盘 测试半导体器件 半导体器件 相互交叉 连接 孔链 排列 

摘      要:本发明提出一种测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构,测试结构是半导体器件内设置的一对指叉式梳形通孔链结构,包括:用焊盘A连接的第一组梳形通孔链结构,和用焊盘B连接的第二组梳形通孔链结构,每组梳形通孔链结构包括多条通孔链,两组梳形通孔链结构相互交叉排列构成一对指叉式梳形通孔链结构,测试结构中的每条梳形通孔链由第一金属层(M1)、有多个通孔的通孔层(Vial)和第二金属层(M2)构成。

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