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利用静电力对电容式压力传感器的自校准

利用静电力对电容式压力传感器的自校准

专利申请号:CN201510419714.0

公 开 号:CN105277313B

发 明 人:D·哈默施密特 

代 理 人:郑立柱;董典红

代理机构:11256 北京市金杜律师事务所

专利类型:授权发明

申 请 日:20180406

公 开 日:20150716

专利主分类号:G01L25/00(20060101)

关 键 词:压力传感器 静电力 电容式压力传感器 压力传感器校准 传感器参数 校准传感器 薄膜位移 测量部件 电容测量 校准部件 压力测量 电极 电容 校准 再校准 自校准 薄膜 测量 施加 申请 

摘      要:本申请涉及利用静电力对电容式压力传感器的自校准。提供一种压力传感器校准系统,包括:一个或多个压力传感器,用于基于来自静电力的薄膜位移或薄膜偏转来校准传感器参数。测量部件测量与在所述一个或多个压力传感器的电极处的所施加的电压相对应的电容值。传感器参数从电容测量和压力测量中得到,由校准部件用于对所述一个或多个压力传感器的校准和再校准。

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