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一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法
专利申请号：CN201610591642.2
公 开 号：CN107653446A
代 理 人：余明伟
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
专利类型：发明申请
申 请 日：20180202
公 开 日：20160726
专利主分类号：C23C16/02(20060101)
关 键 词：石墨烯 衬底表面 衬底 成核 生长 成核点 离子 退火 注入剂量 注入离子 注入能量 析出 调制 生产成本
摘 要：本发明提供一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法，包括如下步骤：S1：提供一Ge衬底，对所述Ge衬底进行离子注入；S2：进行退火，使所述Ge衬底中的注入离子至少有一部分析出到所述Ge衬底表面，以增加所述Ge衬底表面的石墨烯成核点；S3：提供碳源，在所述Ge衬底表面生长得到石墨烯。本发明为石墨烯在Ge表面的生长提供了更多的成核点，从而提高石墨烯的成核密度，大大的增加了石墨烯的生长速度，有利于减少石墨烯的生产成本，并可以通过调节离子的注入剂量与注入能量来调制石墨烯的成核密度。
