氧化锌纳米杆压力传感器及其制备方法

专利申请号：CN201010252908.3

公 开 号：CN101893494A

发 明 人：方国家 刘逆霜 龙浩 黄晖辉 

代 理 人：张火春

代理机构：武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

专利类型：发明申请

申 请 日：20101124

公 开 日：20100813

专利主分类号：G01L1/16(20060101)

关 键 词：种子层 氧化锌纳米杆压力传感器 氧化锌纳米 金属电极 柔性衬底 沉积 传统思维模式 超高灵敏度 发明传感器 纳米材料 纳米器件 制备方法 制备工艺 灵敏度 生长 传感器 对器件 纳米杆 导电 衬底 极高 平行 排列 接触 

摘      要：本发明公开了一种氧化锌纳米杆压力传感器及其制备方法，属于纳米器件领域。氧化锌纳米杆压力传感器包括不导电的柔性衬底、种子层、两金属电极和氧化锌纳米杆阵列；所述种子层沉积于柔性衬底上，所述金属电极沉积于种子层上，所述氧化锌纳米杆阵列生长于种子层上并且平行于衬底排列，两种子层上生长出的ZnO纳米杆之间保持亚稳态的接触。本发明传感器具有极高的灵敏度,本发明方法绕开对纳米材料“拿起和放下的传统思维模式，通过一步到位的工艺和对器件结构精确的控制，得到了超高灵敏度的传感器，而且其制备工艺简单、一气呵成、成本低廉。