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具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法
专利申请号：CN200410082530.1
公 开 号：CN100468622C
代 理 人：张平元;赵仁临
代理机构：11105 北京市柳沈律师事务所
专利类型：发明专利
申 请 日：20090311
公 开 日：20040920
专利主分类号：H01L21/02(20060101)
关 键 词：介电层 电极 模拟电容器 电层 漏电流 二次 接触
摘 要：提供一种具有至少3层高-k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高-k介电层。该至少3层高-k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高-k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高-k介电层。因此，由于使用至少3层高-k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。
