一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法

专利申请号：CN200810017836.7

公 开 号：CN101252100B

发 明 人：张进城 董作典 郝跃 郑鹏天 秦雪雪 刘林杰 王冲 冯倩 

代 理 人：韦全生

代理机构：61205 陕西电子工业专利中心

专利类型：授权发明

申 请 日：20100414

公 开 日：20080328

专利主分类号：H01L21/82(20060101)

关 键 词：隔离介质 异质结构 有源 薄膜 微电子技术领域 选择性外延生长 大功率器件 选择性刻蚀 蓝宝石 材料生长 衬底表面 传统器件 隔离方法 隔离工艺 介质薄膜 绝缘隔离 设计掩膜 介质膜 外延层 生长 衬底 淀积 多晶 损伤 隔离 露出 

摘      要：本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC衬底上先淀积隔离介质薄膜，根据设计掩膜对隔离介质薄膜进行选择性刻蚀，去掉介质膜露出衬底表面的区域即窗口区为器件的有源区，有源区以外保留隔离介质薄膜。然后采用MOCVD技术继续进行GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构生长，只在窗口区生长出AlGaN/GaN异质结构，介质薄膜区表面只有GaN和AlGaN多晶颗粒，这样就形成了有源区绝缘隔离，即器件隔离和材料生长是同时完成的。本发明可用于制作高性能的异质结构器件和大功率器件等。