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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201711192634.1
公 开 号:CN107919305A
发 明 人:王耀斌
代 理 人:华长华
代理机构:61220 西安亿诺专利代理有限公司
专利类型:发明申请
申 请 日:20180417
公 开 日:20171124
专利主分类号:H01L21/67(20060101)
关 键 词:晶圆片 金属膜 剥离 上片盒 传输 清洗 半导体器件表面 电子制造设备 氮气 吸盘 化学液浸泡 剥离工艺 器件性能 清洗过程 剥离腔 浸泡槽 清洗腔 上片 甩干 吸附 取出 扫描 敏感 污染
摘 要:本发明涉及一种电子制造设备技术领域,具体涉及一种金属膜剥离清洗方法。一种金属膜剥离清洗方法,包括以下步骤:(1)将装有晶圆片的上片盒放到上片位置;(2)对晶圆片位置、数量进行扫描记忆;(3)依次从上片盒中吸附取上晶圆片,传输到化学液浸泡槽;(4)从浸泡槽附取上晶圆片,经CCD中心定位后,传输到剥离腔体吸盘上,进行金属膜剥离;(5)完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上,进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺;(6)将晶圆片取出放到收片片盒中,完成清洗过程。本发明使敏感的半导体器件表面的污染减到最小程度,从而大幅度地改善器件性能,提高产品的可靠性和稳定性。