基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法

专利申请号：CN201611090441.0

公 开 号：CN106583918A

发 明 人：张俐楠 程从秀 郑伟 吴立群 王洪成 

代 理 人：周希良

代理机构：杭州千克知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20170426

公 开 日：20161130

专利主分类号：B23K26/00(20140101)

关 键 词：形貌 硅基板 凸起 激光功率 长径比 激光 硅基板表面 成型技术 高温处理 公式计算 硅基表面 激光照射 晶格缺陷 杂质缺陷 第一端 上凸起 测量 重复 统计 研究 

摘      要：本发明公开了一种基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其按如下步骤：步骤一：硅基板的第一端固定；步骤二：激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；步骤三：测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D，通过以下公式计算硅基板表面凸起形貌的长径比：最大高度H/最大直径D；步骤四：改变步骤二的激光功率，重复步骤二至步骤三，统计不同激光功率下最大凸起形貌的长径比，以得出激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。本发明以通过改变激光的功率来控制硅基板上凸起形貌的大小。本发明不需要对硅基板整体进行高温处理，避免了产生高温晶格缺陷和杂质缺陷。