一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器

专利申请号：CN201520474613.9

公 开 号：CN204857725U

发 明 人：杨建红 闫兆文 肖彤 谌文杰 杨盼 乔坚栗 王娇 

代 理 人：芶忠义

代理机构：51216 四川君士达律师事务所

专利类型：实用新型

申 请 日：20151209

公 开 日：20150705

专利主分类号：H01L27/115(20060101)

关 键 词：隧穿 有机场效应晶体管 栅绝缘介质层 多晶硅浮栅 绝缘介质层 形成器件 栅电极 绝缘介质层表面 有机半导体材料 电荷存储单元 单晶硅衬底 浮栅存储器 高密度存储 硅衬底表面 有源层表面 存储器 浮栅表面 工作电压 降低器件 器件保持 实现器件 制造成本 有源层 重掺杂 实用 低阻 漏极 嵌于 一种 源极 生长 公开 

摘      要：本实用新型公开了一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单元；形成于浮栅表面的隧穿绝缘介质层；在隧穿绝缘介质层表面上生长有机半导体材料，形成器件的有源层；在有源层表面形成器件的源极、漏极。本实用新型的有益效果是降低基于有机场效应晶体管浮栅存储器的工作电压，实现器件的高密度存储，提高器件保持特性，降低器件制造成本。