半导体存储器

专利申请号：CN201721676397.1

公 开 号：CN207868200U

发 明 人：不公告发明人 

代 理 人：罗泳文

代理机构：31219 上海光华专利事务所(普通合伙)

专利类型：实用新型

申 请 日：20180914

公 开 日：20171206

专利主分类号：H01L27/108(20060101)

关 键 词：电容 位线金属 隔离线 触点 电容器 字线 本实用新型 存储器 牺牲层 填充 支撑 半导体结构表面 半导体存储器 半导体结构 保护衬垫 底层表面 金属电极 短路 衬底 良率 去除 制作 半导体 上层 保证 

摘      要：本实用新型提供一种半导体存储器，包括：半导体结构，包含一半导体衬底，其形成有字线隔离线、位线金属以及电容触点，位线金属与电容触点位于字线隔离线两侧；去除字线隔离线的一上层部分，形成凹槽；于半导体结构表面形成电容支撑底层，并同时于凹槽中填充保护衬垫；于电容支撑底层表面形成电容牺牲层；于电容牺牲层及电容支撑底层中形成与电容触点对应的电容孔；及于电容孔中制作电容器。本实用新型既可以避免位线金属露出而导致损坏；同时可以避免在制作电容器时，电容器的金属电极的填充而造成位线金属及电容触点之间短路的缺陷，保证存储器的良率，并提高存储器的性能。