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一种低飞移高度面内磁性图像识别传感器芯片

一种低飞移高度面内磁性图像识别传感器芯片

专利申请号:CN201410156470.7

公 开 号:CN103942872B

发 明 人:詹姆斯·G·迪克 周志敏 

代 理 人:孙仿卫;项丽

代理机构:32103 苏州创元专利商标事务所有限公司

专利类型:授权发明

申 请 日:20160824

公 开 日:20140418

专利主分类号:G07D7/04(20160101)

关 键 词:磁电阻传感器 绝缘层 引线键合连接 衬底表面 磁性图像 衬底 焊盘 图像识别传感器 传感器芯片 输入输出端 输出信号 导电柱 高度面 检测面 内磁性 深坑 封装 平行 芯片 

摘      要:本发明公开了一种低飞移高度面内磁性图像识别传感器芯片,该传感器芯片包括表面开有深坑的Si衬底、磁电阻传感器、绝缘层,所述磁电阻传感器位于所述Si衬底的深坑底表面上,所述绝缘层位于所述磁电阻传感器之上,工作时磁性图像检测面与Si衬底表面共面或平行,所述磁电阻传感器的输入输出端直接与引线实现引线键合连接,或者通过焊盘,还可以通过导电柱和焊盘与引线实现引线键合连接,且所述引线飞移高度低于所述Si衬底表面的高度。本发明具有结构紧凑、不需封装、可以直接和磁性图像接触、输出信号强的优点。

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