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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201510106473.4
公 开 号:CN106033707A
代 理 人:曾耀先
代理机构:31229 上海唯源专利代理有限公司
专利类型:发明申请
申 请 日:20161019
公 开 日:20150310
专利主分类号:H01L21/02(20060101)
关 键 词:多晶硅膜 多晶硅薄膜晶体管 晶粒 微透镜组 制备 半导体技术领域 准分子激光 单次曝光 定位位置 制备过程 显影 聚焦 焦点 移动
摘 要:本发明涉及一种多晶硅膜制备方法,属于半导体技术领域。该方法首先利用微透镜组进行单次曝光显影定位晶粒,进而利用准分子激光透过微透镜组聚焦,并使焦点接近定位位置,形成晶粒。利用该方法能在多晶硅膜制备过程中提高多晶硅薄膜晶体管的载子移动率,提升多晶硅薄膜晶体管的整体性能,且本发明的多晶硅膜制备方法,其实现方式简单,实现成本低廉。