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绝缘栅双极晶体管
专利申请号：CN201110225181.4
公 开 号：CN102280475A
发 明 人：王颢
代 理 人：郑玮
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
专利类型：发明申请
申 请 日：20111214
公 开 日：20110808
专利主分类号：H01L29/739(20060101)
关 键 词：绝缘栅双极晶体管 半导体类型 基区 衬底 集电极电流 饱和导通 导电类型 负载能力 电阻 功耗 压降
摘 要：本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导电类型的多个埋层，所述埋层设置于所述基区内且位于所述阱区的下方。本发明的绝缘栅双极晶体管的基区有利于降低绝缘栅双极晶体管的导通电阻，进而降低饱和导通压降和降低导通功耗，增强集电极电流，提高器件的负载能力。
