低失真可编程电容阵列

专利申请号：CN201410095276.2

公 开 号：CN104052461B

发 明 人：S·德瓦拉简 L·A·辛格 

代 理 人：刘倜

代理机构：11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

专利类型：授权发明

申 请 日：20180424

公 开 日：20140314

专利主分类号：H03K19/0944(20060101)

关 键 词：输入端 电容 控制电路 最小化 加载 去除 可编程电容阵列 可编程电容器 电容负载 控制信号 卸载电容 阵列系统 低失真 线性度 劣化 接通 退化 响应 

摘      要：在一个示例实施例中，提供了通过利用控制电路来打开和关闭MOSFET开关阵列用于输入端（Vin）低失真和最小化线性度劣化的可编程电容阵列。控制电路响应于Din控制信号而打开MOSFET以在输入端加载电容，并关闭以从输入端去除电容。当意图加载具有输入的电容时，MOSFET被持续打开。当意图从输入端（Vin）去除或卸载电容时，MOSFET主要是关闭的，但是，当输入端的电容负载对系统可以容忍（即无所谓）时，MOSFET还是周期性地接通短暂的一段时间，从而确保由于可编程电容器阵列系统最小化Vin的线性退化。