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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
用于空穴注入和传输层的经改善的掺杂方法
专利申请号：CN201280057616.1
公 开 号：CN103959392A
发 明 人：文卡塔拉曼南·塞沙德里 尼特·乔普拉
代 理 人：张福根;吴小瑛
代理机构：72003 隆天国际知识产权代理有限公司
专利类型：发明申请
申 请 日：20140730
公 开 日：20121003
专利主分类号：H01B1/12(20060101)
关 键 词：中性形式 掺杂 共轭聚合物 溶剂体系 化合物 有机电子器件 分离固体 金属含量 离子掺杂 氧化形式
摘 要：一种方法，包括在第一溶剂体系中将中性形式的至少一种第一化合物与至少一种离子掺杂剂反应，以提供第一掺杂反应产物；分离固体形式的第一掺杂反应产物；以及在第二溶剂体系中将分离的第一掺杂反应产物与中性形式的至少一种共轭聚合物结合，以形成包含共轭聚合物的氧化形式和第一化合物的中性形式的第二掺杂反应产物。优点包括更好的稳定性、便于使用、更低的金属含量。应用包括有机电子器件，包括OLED。
