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阵列基板及其断线修补方法
专利申请号：CN201510074075.9
公 开 号：CN104597679A
发 明 人：李珊
代 理 人：林才桂
代理机构：44265 深圳市德力知识产权代理事务所
专利类型：发明专利
申 请 日：20150506
公 开 日：20150212
专利主分类号：G02F1/1362(20060101)
关 键 词：修补 断线 有机层 镭射 开口 阵列基板 扫描线 数据线 漏极 化学气相沉积 阵列基板表面 机台 恢复连接 显示品质 液晶面板 钝化层 长线 通孔 沉积 成功率 金属
摘 要：本发明提供一种阵列基板及其断线修补方法，通过在阵列基板表面对应栅极扫描线与源漏极数据线的上方设置数个开口，所述开口通过钝化层沉积于有机层的通孔处形成，使得本发明的阵列基板在进行断线修补时，可以直接在断线处两端的开口之间通过镭射化学气相沉积形成金属长线，使断开的栅极扫描线或源漏极数据线恢复连接，该修补方法省去了镭射去除有机层的工序，节省了断线修补时间，有效地减少去除有机层时的机台镭射损耗，提高了断线修补效率和修补成功率，进而提高液晶面板产品的显示品质。
