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对多级单元存储器进行编程的方法及装置
专利申请号：CN200880111056.7
公 开 号：CN101821811B
代 理 人：沈锦华
代理机构：11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司
专利类型：授权发明
申 请 日：20150204
公 开 日：20081008
专利主分类号：G11C16/10(20060101)
关 键 词：阈值电压 存储器装置 编程 模拟数据信号 二进制数据信号 目标存储器单元 目标阈值电压 数据传送速率 阈值电压范围 存储器单元 范围大小 大范围 数据值 干扰
摘 要：适于处理及产生表示两个或两个以上信息位的数据值的模拟数据信号的存储器装置相对于仅处理及产生指示个别位的二进制数据信号的装置促进数据传送速率的增加。所述存储器装置的编程包括编程到表示所要位模式的目标阈值电压范围。读取所述存储器装置包括产生指示目标存储器单元的阈值电压的模拟数据信号。由于编程干扰在较高阈值电压下较低，因此所述存储器单元的阈值电压范围针对包括较低阈值电压的范围具有较大范围大小且针对包括较高阈值电压的范围具有较小范围大小。
