用于通过化学汽相沉积制造合成金刚石材料的方法

专利申请号：CN201180068064.X

公 开 号：CN103403837B

发 明 人：C·N·道奇 P·N·英格利斯 G·A·斯卡斯布鲁克 T·P·莫拉特 C·S·J·皮克尔斯 S·E·科 J·M·多德森 A·L·卡伦 J·R·布莱顿 C·J·H·沃特 

代 理 人：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所张涛

代理机构：11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

专利类型：发明专利

申 请 日：20160120

公 开 日：20111214

专利主分类号：H01J37/32(20060101)

关 键 词：等离子体室 基底 生长表面 微波发生器 电场强度 中央部分 微波等离子体反应器 气体流动系统 合成金刚石 电场 大体平坦 电场分布 微波耦合 支撑表面 保持件 共振腔 使用中 轴对称 侧壁 基部 微波 处理气体供应 化学汽相沉积 微波共振模式 布置 处理气体 电场变化 基部延伸 基底布置 基底尺寸 位置选择 支撑基底 不超过 界定 一种 移除 沉积 横跨 限定 产生 延伸 周围 制造 支持 

摘      要：一种用于通过化学汽相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：微波发生器，所述微波发生器构造成以频率f产生微波；等离子体室，所述等离子体室包括基部、顶板和侧壁，所述侧壁从所述基部延伸至所述顶板，从而限定了位于基部和顶板之间用于支持微波共振模式的共振腔；微波耦合构造，所述微波耦合构造成从微波发生器将微波供应至所述等离子体室；气体流动系统，所述气体流动系统用于将处理气体供应至所述等离子体室以及从所述等离子体室移除所述处理气体；基底保持件，所述基底保持件布置在所述等离子体室中并且包括用于支撑基底的支撑表面；和基底，所述基底布置在所述支撑表面上，所述基底具有生长表面，在使用中，所述合成金刚石材料将沉积在所述生长表面上，其中，基底尺寸和在所述共振腔内的位置选择为在使用中横跨所述生长表面产生局部轴对称的EZ电场分布，所述局部轴对称的EZ电场分布包括由更高的电场环所界定的大体平坦的中央部分，所述大体平坦的中央部分在所述基底的所述生长表面的面积的至少60%上延伸并且具有不超过所述中央EZ电场强度的±10%的EZ电场变化，所述更高的电场环布置在所述中央部分周围并且具有比中央EZ电场强度高10%至50%的峰值EZ电场强度。