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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201410436326.9
公 开 号:CN104193336A
代 理 人:巢雄辉
代理机构:45112 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
专利类型:发明专利
申 请 日:20141210
公 开 日:20140829
专利主分类号:C04B35/495(20060101)
关 键 词:微波介质陶瓷材料 放大器 滤波器 低温共烧陶瓷 高介电常数 结构表达式 微波元器件 谐振 低温烧结 介质天线 烧结温度 陶瓷材料 微波性能 卫星定位 移动通信 制备方法 振荡器 卫星通信 低烧 复合
摘 要:本发明公开一种低烧微波介质陶瓷材料,其结构表达式为:(Li0.5Re0.5)xBi1-xWxV1-xO4,式中:Re=La、Nd、Sm、Dy或Gd,0.05≤x≤0.1。其制备方法是将BiVO4与Li0.5Re0.5WO4按(Li0.5Re0.5)xBi1-xWxV1-xO4(Re=La,Nd,Sm,Dy,Gd,0.05≤x≤0.1)进行复合,通过低温烧结获得。该陶瓷材料的固有烧结温度低,微波性能优异:Er为60~80,Qxf值高,Tcf小且可调,能够满足LTCC技术要求,可广泛应用于卫星通信、卫星定位、移动通信等系统,用于谐振器、滤波器、振荡器、放大器、介质天线等微波元器件的制造,为中高介电常数的低温共烧陶瓷材料提供了新的选择。