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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN201110339352.6
公 开 号:CN103027673B
代 理 人:北京戈程知识产权代理有限公司程伟;王锦阳
代理机构:11314 北京戈程知识产权代理有限公司
专利类型:发明专利
申 请 日:20151209
公 开 日:20111101
专利主分类号:A61B5/04(20060101)
关 键 词:复合式探针 微电极记录 微电极 植入 刺激 精确 标定方法 断层造影 精确位置 目标范围 植入位置 组织结构 电刺激 电阻抗 传感器 标定 导引 脑部 一种 包含 描绘 检测 周围 应用 配合 符合 解决
摘 要:本发明提供一种刺激目标范围标定方法,应用于微电极记录及电阻抗断层造影技术配合复合式探针,该复合式探针包含至少一微电极记录传感器和多个微电极,以在复合式探针以微电极记录信号为导引植入符合刺激目标的深度后,利用该多个微电极描绘出复合式探针周围的组织结构,而标定出刺激目标的范围及植入该复合式探针的精确位置。据此,本案具有检测快速、精确等优点,并解决现有深层脑部电刺激技术无法得知精确植入位置的问题。