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半导体器件老化测试方法

半导体器件老化测试方法

专利申请号:CN201310170462.3

公 开 号:CN104142461A

发 明 人:徐俊 

代 理 人:骆苏华

代理机构:11227 北京集佳知识产权代理有限公司

专利类型:发明申请

申 请 日:20141112

公 开 日:20130509

专利主分类号:G01R31/26(20140101)

关 键 词:衰减 关联系数 半导体器件 测试条件 测试数据 老化测试 测试半导体器件 老化测试方法 测试参数 老化状态 关联性 

摘      要:一种半导体器件老化测试方法,包括:提供待测试半导体器件;在指定测试条件内,对所述半导体器件的至少2个参数同时进行老化测试并获得测试数据,其中,选取测试的参数之间具有关联性,且所述指定测试条件至少包括指定时间;根据测试数据,获取基于测试参数的衰减关联系数,若所述衰减关联系数在指定时间内为非衰减态,更改指定测试条件,并重新测试衰减关联系数,直至所述衰减关联系数在指定时间内为衰减态;基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数,获取所述半导体器件老化状态。本发明提供的半导体器件老化测试耗费的时间短、花费小且测试结果准确。

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