半导体器件老化测试方法

专利申请号：CN201310170462.3

公 开 号：CN104142461A

发 明 人：徐俊 

代 理 人：骆苏华

代理机构：11227 北京集佳知识产权代理有限公司

专利类型：发明申请

申 请 日：20141112

公 开 日：20130509

专利主分类号：G01R31/26(20140101)

关 键 词：衰减 关联系数 半导体器件 测试条件 测试数据 老化测试 测试半导体器件 老化测试方法 测试参数 老化状态 关联性 

摘      要：一种半导体器件老化测试方法，包括：提供待测试半导体器件；在指定测试条件内，对所述半导体器件的至少2个参数同时进行老化测试并获得测试数据，其中，选取测试的参数之间具有关联性，且所述指定测试条件至少包括指定时间；根据测试数据，获取基于测试参数的衰减关联系数，若所述衰减关联系数在指定时间内为非衰减态，更改指定测试条件，并重新测试衰减关联系数，直至所述衰减关联系数在指定时间内为衰减态；基于在指定时间内为衰减态的衰减关联系数，获取所述半导体器件老化状态。本发明提供的半导体器件老化测试耗费的时间短、花费小且测试结果准确。