一种低功耗、零偏压单行载流子光电探测器

专利申请号：CN201510613957.8

公 开 号：CN105140330A

发 明 人：黄永清 费嘉瑞 段晓峰 刘凯 王俊 任晓敏 王琦 蔡世伟 张霞 

专利类型：发明专利

申 请 日：20151209

公 开 日：20150923

专利主分类号：H01L31/08(20060101)

关 键 词：半绝缘衬底 电子阻挡层 光电探测器 零偏压 收集层 外延层 吸收层 阻止层 载流子 腐蚀 费米能级 禁带宽度 低功耗 过渡层 响应度 异质结 功耗 一种 优选 带宽 公开 组成 工作 

摘      要：本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。