一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法

专利申请号：CN201710116002.0

公 开 号：CN106876351A

发 明 人：马晓华 郝跃 李晓彤 祝杰杰 杨凌 郑雪峰 

代 理 人：王品华;朱红星

代理机构：61205 陕西电子工业专利中心

专利类型：发明申请

申 请 日：20170620

公 开 日：20170301

专利主分类号：H01L23/48(20060101)

关 键 词：介质层 上光 互联 刻蚀 金属互联层 制作 钝化层 开孔区 金属 高频大功率器件 金属互联结构 半导体器件 互联区域 加工器件 金属堆栈 器件金属 射频功率 生长介质 引线区域 制作过程 电极 保护层 导电层 漏电极 淀积 开孔 可用 三层 剥离 生长 

摘      要：本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光刻并刻蚀掉互联开孔区；在金属互联开孔区的电极和未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，并依次淀积Ti界面、Cu导电层和W保护层，剥离后形成Ti/Cu/W三层金属堆栈结构的金属互联层；在金属互联层和介质层上生长钝化层；在钝化层上光刻并刻蚀出引线区域，完成制作。本发明降低了金属互联的制作成本，可用于制作高频大功率器件。