一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法

专利申请号：CN201610038229.3

公 开 号：CN106991201A

发 明 人：陈静 黄建强 罗杰馨 柴展 吕凯 何伟伟 

代 理 人：余明伟

代理机构：31219 上海光华专利事务所

专利类型：发明专利

申 请 日：20170728

公 开 日：20160120

专利主分类号：G06F17/50(20060101)

关 键 词：总剂量 参数提取 等效晶体管 模型卡 全区域 总剂量辐射 总剂量效应 参数拟合 测试数据 尺寸器件 传输特性 集约模型 剂量辐照 敏感参数 模型参数 物理模型 亚阈值区 主晶体管 转移特性 准确度 上边角 侧壁 场氧 单点 导出 分立 拟合 细化 筛选 组数据 阈值电压变化 测试数据 单调减小 模型参数 数据包括 阈值电压 总剂量 筛选 

摘      要：本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。本发明采用了与主晶体管分立的方式进行参数提取，细化了物理模型中各个区域的敏感参数，提高了参数拟合的准确度，可以准确地拟合出SOI MOSFET受总剂量辐射效应影响时在亚阈值区产生的hump效应，模型以Bin模型卡的形式存在，可以仿真全区域尺寸器件总剂量效应。