一种半导体基板光刻工艺

专利申请号：CN201510901539.9

公 开 号：CN105446075A

发 明 人：陈谷然 任春江 陈堂胜 

代 理 人：柏尚春

代理机构：南京苏高专利商标事务所(普通合伙)

专利类型：发明申请

申 请 日：20160330

公 开 日：20151209

专利主分类号：G03F7/00(20060101)

关 键 词：光刻胶 半导体基板 抗反射涂层 线宽 正性光刻胶层 光刻胶侧壁 正性光刻胶 干法刻蚀 光刻工艺 光刻胶层 光刻线宽 烘焙处理 回流技术 升级设备 缓坡 底部线 中间线 单层 减小 上涂 涂覆 显影 一种 去除 宽大 曝光 可靠 缩小 进行 公开 改变 解决 

摘      要：本发明公开了一种半导体基板光刻工艺，通过在半导体基板上涂覆单层正性光刻胶层，进行曝光、显影，之后涂覆具有水溶性的抗反射涂层，再进行烘焙处理使得光刻胶层回流，最后利用水溶液去除水溶性的抗反射涂层得到了具有缩小线宽的光刻胶型。解决了现有技术中对于某些正性光刻胶而言，回流技术仅可以改变光刻胶型即仅使得光刻胶侧壁变缓，但是线宽不能减小的问题，一方面在不升级设备的前提下，制作出远比设备极限能力要小的光刻线宽，并且工艺简单可靠；二是获得中间线宽小、底部线宽大的光刻胶型，这种胶型有利于干法刻蚀过程中获得具有较缓坡度的图形。