氧化硅薄膜的沉积方法及低温多晶硅TFT基板的制备方法

专利申请号：CN201610054751.0

公 开 号：CN105513960A

发 明 人：马伟欣 

代 理 人：林才桂

代理机构：44265 深圳市德力知识产权代理事务所

专利类型：发明申请

申 请 日：20160420

公 开 日：20160127

专利主分类号：H01L21/314(20060101)

关 键 词：氧化硅薄膜 低温多晶硅TFT 有机硅烷气体 紫外光 沉积方法 制备方法 氧化硅 成膜 基板 等离子体增强化学气相沉积 等离子体环境 的等离子体 栅极绝缘层 中等离子体 紫外光照射 表面缺陷 表面损伤 沉积氧化 辅助能量 界面缺陷 界面损伤 氧气反应 氧气分解 高能量 游离氧 沉积 电性 一种 生成 撞击 引入 反应 提升 制作 

摘      要：本发明提供一种氧化硅薄膜的沉积方法与低温多晶硅TFT基板的制备方法。该氧化硅薄膜的沉积方法通过引入紫外光作为沉积氧化硅反应的辅助能量，利用紫外光将氧气分解为游离氧，与有机硅烷气体反应生成氧化硅，从而在无等离子体环境中沉积形成氧化硅薄膜，避免了氧化硅薄膜表面被高能量的等离子体撞击所形成的界面缺陷和表面损伤，提高氧化硅薄膜的成膜质量。该低温多晶硅TFT基板的制备方法通过采用在紫外光照射环境中有机硅烷气体与氧气反应生成氧化硅的方法来制作栅极绝缘层中的氧化硅薄膜，避免了现有等离子体增强化学气相沉积方法中等离子体对氧化硅薄膜表面造成的表面缺陷和界面损伤，从而提高氧化硅薄膜的成膜质量，提升TFT电性。