功率模块封装结构优化方法

专利申请号：CN201810625705.0

公 开 号：CN108694292A

发 明 人：林超彪 赵晓宇 雷昕雨 李晓玲 曾正 

代 理 人：吕小琴

代理机构：11129 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司

专利类型：发明申请

申 请 日：20181023

公 开 日：20180618

专利主分类号：G06F17/50(20060101)

关 键 词：功率模块 功率循环寿命 封装结构 温度循环寿命 密度模型 非弹性 非支配排序遗传算法 电力电子装备 功率模块封装 安全可靠性 结构优化 温度循环 循环寿命 影响因素 综合考虑 耐用性 最优解 封装 优化 芯片 

摘      要：本发明提供的一种功率模块封装结构优化方法，包括如下步骤：S1.确定出功率模块的封装结构；S2.确定出封装结构的优化尺寸目标；S3.建立功率循环寿命的模型以及影响温度循环寿命的各层单位体积非弹性工作密度模型；S4.采用非支配排序遗传算法得出功率循环寿命模型和各层单位体积非弹性工作密度模型的Pareto最优解，从而确定出封装结构的优化尺寸；通过上述方法，综合考虑功率模块芯片的循环寿命和温度循环的影响因素，能够准确确定出合理的功率模块的封装尺寸，从而有效确保功率模块的功率循环寿命和温度循环寿命，提高功率模块的耐用性，进而提升电力电子装备的安全可靠性。