一种集成光触发一体化IGBT结构

专利申请号：CN201720283383.7

公 开 号：CN207234748U

发 明 人：赵娟 李博婷 李洪涛 

代 理 人：徐静

代理机构：51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司

专利类型：实用新型

申 请 日：20180413

公 开 日：20170322

专利主分类号：H03K17/567(20060101)

关 键 词：栅极电压控制电路 本实用新型 正极性 光控制开关 绝缘隔离 负极性 光照 充电 半导体器件设计 初级电源电路 正极 电脉冲参数 触发控制 导通控制 方法控制 关断状态 栅极电压 栅极控制 正负极性 状态转换 光触发 硅片 触发 导通 通断 一体化 加工 

摘      要：本实用新型属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构。本实用新型针对现有技术存在的问题，通过设计触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方法控制栅极控制IGBT的通断，与IGBT电路结构在同一片硅片上加工，用于解决IGBT的绝缘隔离及状态转换时间长的问题。本实用新型中当正极性栅极电压控制电路的光控制开关未受光照时，负极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行负极性充电，使得IGBT保持关断状态；当正极性栅极电压控制电路的光控制开关受到光照时，正极性栅极电压控制电路对IGBT栅极进行正极充电，当IGBT栅极电压达到导通控制电脉冲参数要求时，IGBT导通。