版权所有：内蒙古大学图书馆 技术提供：维普资讯• 智图
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层
专利申请号：CN201611153882.0
公 开 号：CN106601839A
代 理 人：黄志达;魏峯
代理机构：31233 上海泰能知识产权代理事务所
专利类型：发明专利
申 请 日：20170426
公 开 日：20161214
专利主分类号：H01L31/0352(20060101)
关 键 词：异变缓冲层 结构激光器 材料结晶 递变结构 两层材料 器件性能 位错缺陷 低缺陷 过渡层 厚度比 缓冲层 探测器 层厚 衬底 晶格 失配 异质 阻挡 传递 应用
摘 要：本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。
