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一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层

一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层

专利申请号:CN201611153882.0

公 开 号:CN106601839A

发 明 人:马英杰 顾溢 张永刚 

代 理 人:黄志达;魏峯

代理机构:31233 上海泰能知识产权代理事务所

专利类型:发明专利

申 请 日:20170426

公 开 日:20161214

专利主分类号:H01L31/0352(20060101)

关 键 词:异变缓冲层 结构激光器 材料结晶 递变结构 两层材料 器件性能 位错缺陷 低缺陷 过渡层 厚度比 缓冲层 探测器 层厚 衬底 晶格 失配 异质 阻挡 传递 应用 

摘      要:本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层,所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层,每个周期内均包含A、B两层材料,且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应,实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低,材料结晶质量显著提高,且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能;有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。

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