基于双目标遗传算法的宽角度EUV多层膜鲁棒性膜系设计

专利申请号：CN201710220525.X

公 开 号：CN106842562A

发 明 人：匡尚奇 王一名 孙秀平 

代 理 人：仲崇明

代理机构：32295 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

专利类型：发明申请

申 请 日：20170613

公 开 日：20170406

专利主分类号：G02B27/00(20060101)

关 键 词：多层膜 膜系 鲁棒性 双目标 镀膜 非支配排序遗传算法 灵敏度系数 高反射率 光学性能 膜厚误差 实数编码 遗传算法 成品率 非周期 入射角 算法 研发 双目 带宽 清晰 制约 应用 优化 

摘      要：本发明公开的一种基于双目标遗传算法的宽角度EUV多层膜鲁棒性膜系设计，属于EUV多层膜的研发领域，该方法通过将实数编码的非支配排序遗传算法(NSGA‑II)应用于具有宽入射角带宽的高反射率EUV多层膜的设计之中，以EUV多层膜的光学性能和膜系的主动鲁棒性作为优化的双目标，在接近双目标的Pareto前沿的非支配解集中获得一系列的多层膜膜系设计。在非支配解集中，膜厚误差灵敏度系数较小的膜系即为多层膜的鲁棒性膜系，同时，接近双目标Pareto前沿的非支配解集可清晰地表明多层膜设计的两个目标之间的制约关系。基于NSGA‑II算法的宽角度EUV多层膜的鲁棒性膜系设计有助于提高非周期复杂多层膜的镀膜成品率和降低研制成本较高的EUV多层膜的镀膜风险。