表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法

专利申请号：CN201310275872.4

公 开 号：CN103400872A

发 明 人：郭霞 周弘毅 栾信信 

代 理 人：刘萍

代理机构：11203 北京思海天达知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20131120

公 开 日：20130630

专利主分类号：H01L31/0352(20060101)

关 键 词：光电探测器 光生空穴 表面电场 轻掺杂区 掺杂区 输运 结构设计和制备 光生载流子 探测器响应 传统结构 电极输运 光敏面的 光谱响应 横向电场 量子效率 欧姆接触 制备方法 纵向电场 电阻 复合 辐射 

摘      要：表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法属于光电探测器。该PIN光电探测器其特征在于：在原来覆盖整个光敏面的单一p型轻掺杂区105，选择性的加入p型重掺杂区106，同时使p型重掺杂区106与p型欧姆接触层104相连，使得纵向电场得到增强，提高探测器响应速度，同时引入横向电场，增加光生空穴的输运通道，降低输运电阻，减少p型轻掺杂区105中的光生空穴向电极输运时的非辐射复合，提高光生空穴收集效率，从而有效地提高了量子效率。本发明提供一种表面电场增强的PIN光电探测器的结构设计和制备工艺，解决了传统结构的光电探测器对光生载流子收集效率低的问题，提高了器件的光谱响应。