一种半导体器件表面预清洁方法

专利申请号：CN201310717828.4

公 开 号：CN104733283A

发 明 人：林静 

代 理 人：李仪萍

代理机构：31219 上海光华专利事务所

专利类型：发明申请

申 请 日：20150624

公 开 日：20131223

专利主分类号：H01L21/02(20060101)

关 键 词：半导体衬底 保护膜 工艺腔 清洁方法 基底 半导体衬底表面 刻蚀气体 自然氧化 氧化膜 半导体器件表面 预处理 化学反应 存储装置 退火处理 清洁 污染 

摘      要：本发明提供一种半导体器件表面预清洁方法，所述预清洁方法至少包括以下步骤：首先，提供可供预处理的基底，所述基底包括半导体衬底和自然氧化形成在所述半导体衬底表面的氧化膜；接着，放置所述基底于第一工艺腔中，并向第一工艺腔内通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与氧化膜发生化学反应在半导体衬底上形成保护膜；最后，将形成有保护膜的半导体衬底从第一工艺腔中取出，保存于存储装置中，经过设定的保存时间后，将形成有保护膜的半导体衬底放置在第二工艺腔中进行退火处理，使所述保护膜去除，直至暴露出半导体衬底表面。利用本发明的预清洁方法进行预清洁的效果好、效率高，不易发生再次自然氧化造成污染，成本降低。