一种高性能多孔硅基薄膜及其制备方法

专利申请号：CN201510810058.7

公 开 号：CN105347294A

发 明 人：陈桂兴 

代 理 人：袁周珠

代理机构：44228 广州市南锋专利事务所有限公司

专利类型：发明申请

申 请 日：20160224

公 开 日：20151123

专利主分类号：B81B7/02(20060101)

关 键 词：制备方法 多孔硅 氢氟酸 氧化钒 乙醇 微机电系统传感器 致密 薄层应用 薄膜性能 薄膜制备 表面溅射 磁控溅射 电解腐蚀 工艺条件 基片表面 绝热性能 氧化钨层 混合液 基薄膜 氧化钨 粘附性 重量份 硅片 衬底 一种 薄膜 浸泡 均匀 混合 容易 控制 涉及 

摘      要：本发明涉及一种高性能多孔硅基薄膜及其制备方法，属于薄膜制备技术领域；其中原料的各组分的重量份为P型单晶硅片70~75份、氢氟酸100~120份、乙醇100~120份、氧化钒4~8份、氧化钨2~4份，其制备方法为将氢氟酸和乙醇混合，然后将硅片浸泡在混合液中，电解腐蚀25~30min得多孔硅基片；将氧化钒磁控溅射在基片表面，厚度为0.15~0.25cm；再在表面溅射厚度为0.1~0.15cm的氧化钨层，即得成品；该薄膜性能优越，应用范围广，可根据需求再镀上不同的材料的薄层应用在不同的微机电系统传感器上；制得的薄膜致密，与衬底粘附性好，面积大且均匀，具有良好的绝热性能，且工艺条件容易控制，成本低廉，适于工业化生产。